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半導(dǎo)體行業(yè) | 測(cè)量如何“見(jiàn)微知著”？

更新時(shí)間：2026-06-03 點(diǎn)擊次數(shù)：9

在AI引發(fā)的結(jié)構(gòu)性失衡，芯片需求激增的當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速邁向微型化與集成化，制造工藝對(duì)精度的要求也達(dá)到了高度。微米級(jí)的偏差，便可能影響一顆芯片的最終性能與良率。

面對(duì)日趨復(fù)雜精密的生產(chǎn)需求，測(cè)量環(huán)節(jié)如何實(shí)現(xiàn)“快、準(zhǔn)、穩(wěn)"？精析為您帶來(lái)高效的非接觸測(cè)量方案，助力提升效率、保障品質(zhì)。

倒裝芯片

當(dāng)凸點(diǎn)以“微米"計(jì)，測(cè)量如何快準(zhǔn)穩(wěn)？

在對(duì)倒裝芯片的品質(zhì)進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，多以測(cè)量各點(diǎn)位相較于以主板中心為原點(diǎn)的X、Y方向偏差(即坐標(biāo)差)為主。

主要課題：

① 測(cè)點(diǎn)密集，芯片表面凸點(diǎn)繁多，難以適應(yīng)規(guī)模化生產(chǎn)

② 表面不平，頻繁聚焦拖慢測(cè)量節(jié)奏，測(cè)量效率低下

③ 工件易變形，芯片薄且軟，接觸測(cè)量易導(dǎo)致數(shù)據(jù)失真

通過(guò)使用三豐影像測(cè)量?jī)xQV HYPER系列，我們可以有效解決上述難題。

QV HYPER 系列

高精度非接觸式測(cè)量：無(wú)損測(cè)量，不劃傷表面

作為一款配備高分辨力、高精度標(biāo)尺的影像測(cè)量?jī)x，QV HYPER系列精度可達(dá)E UX/E UY,MPE=（0.8+2L/1000）μm，在不破壞工件表面的情況下實(shí)現(xiàn)高精度非接觸式測(cè)量。

TAF功能：讓對(duì)焦不再費(fèi)時(shí)費(fèi)力

TAF激光自動(dòng)追蹤功能，可實(shí)現(xiàn)通過(guò)物鏡的激光照射自動(dòng)對(duì)焦。根據(jù)工件形狀自動(dòng)追蹤焦點(diǎn)，可節(jié)省對(duì)焦作業(yè)，對(duì)于芯片這類(lèi)非平整表面（且高度差變化不大）進(jìn)行掃描時(shí)，無(wú)需停頓式對(duì)焦，從而大大提高了測(cè)量效率。

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STREAM功能：無(wú)停頓測(cè)量，讓批量測(cè)量成為可能

通過(guò)XY本體驅(qū)動(dòng)與頻閃照明同步，在不關(guān)停工作臺(tái)的狀態(tài)下進(jìn)行無(wú)停頓影像測(cè)量，大大縮短測(cè)量時(shí)間，提升測(cè)量效率，讓批量測(cè)量成為可能。

與此同時(shí)，不僅是晶圓、PCB板等半導(dǎo)體部件的產(chǎn)能在擴(kuò)張，以蝕刻為代表的半導(dǎo)體制造設(shè)備和裝置的需求也在進(jìn)一步增加。作為具有代表性的半導(dǎo)體制蝕刻裝置部件，噴淋頭的測(cè)量需求也受到了業(yè)界的高度關(guān)注。

噴淋頭

密集的供給孔，測(cè)量如何“以快致勝"？

噴淋頭表面分布著密集的氣體供給孔。每個(gè)孔的尺寸會(huì)直接影響到刻蝕機(jī)上所產(chǎn)生的等離子體均勻性。其主要測(cè)量項(xiàng)目是表面密集分布的孔的直徑、基于基準(zhǔn)的坐標(biāo)位置及平面度等。

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